CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Vertical scaling of gate-to-channel distance for a 70 nm InP pseudomorphic HEMT technology

Malin Borg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Anders Mellberg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Proceed. of Conf on InP and Related Materials (IPRM'05) p. 204-207. (2005)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 12232

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Scaling of InGaAs/InAlAs and InAs/AlSb HEMTs for microwave/mm-wave applications