CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Stable operation of high mobility 4H-SiC MOSFETs at elevated temperatures

Halldór Örn Ólafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Gudjon Gudjonsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thomas Rödle ; Rik Jos
Electronics Letters Vol. 41 (2005), 14, p. 825-826.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-01-09. Senast ändrad 2008-01-30.
CPL Pubid: 12219

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Electrical Characterization of Thermally Oxidized Silicon Carbide