CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Development of a HBV tripler for 0.6 THz

Johanna Liljedahl (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Tomas Bryllert (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik)
21st International Symposium on Space Terahertz Technology 2010, ISSTT 2010; Oxford; United Kingdom; 23 March 2010 through 25 March 2010 p. 399-404. (2010)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We report on the progress of the design of a HBV frequency tripler for 0.6 THz. The diode is based on the InGaAs/InAlAs/AlAs on InP material system, and the diode material and geometry has been optimised with regards to conversion efficiency. In designing the diode, it was found that self heating is the major limiting factor due to the poor thermal conductivity of InGaAs. The resulting HBV is a two-mesa diode from a three-barrier material, with a mesa area of 6×3 μm2, and is estimated to have a 6-7% conversion efficiency and 100 - 150 K self heating at an input power of 30 mW.



Den här publikationen ingår i följande styrkeområden:

Läs mer om Chalmers styrkeområden  

Denna post skapades 2010-05-27. Senast ändrad 2016-05-12.
CPL Pubid: 121963

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)

Ämnesområden

Informations- och kommunikationsteknik
Elektroteknik och elektronik
Materialteknik
Teknisk fysik

Chalmers infrastruktur