CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

InGaAs-InAlAs-InP HEMT technology for ultra-high frequency and ultra-low noise performance

Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; J. Piotr Starski (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mikael Malmkvist (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Malin Fridman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Anna Malmros (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Proceed. of Conf on InP and Related Materials (IPRM'05) p. 124-128. (2005)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 12178

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur