CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High field effect mobility in n-channel Si face 4H-SiC MOSFETs with gate oxide grown on aluminum ion-implanted material

Gudjon Gudjonsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Halldór Örn Ólafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thomas Rödle ; Rik Jos
IEEE Electron Device Letters Vol. 26 (2005), 2, p. 96-98.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2006-11-16. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 12177