CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Silicon substrate integration of BST based tunable TFBARs using all-dielectric SiO2/AlN Bragg reflectors

Andrei Vorobiev (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; John Berge (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Martin Norling (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Spartak Gevorgian (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik)
2010 10th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, SiRF 2010 - Digest of Papers p. 41-44 . (2010)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Integration possibilities of BaxSr1-xTiO3 (BST) based tunable Thin Film Bulk Acoustic Wave Resonators (TFBAR) using all-dielectric SiO2/AlN Bragg reflectors deposited on a high resistivity silicon substrate are considered. SiO2/AlN reflectors withstand the high deposition temperature (>600C) of the BST films opening up possibilities for heterogeneous integration of complex microwave circuits. © 2010 IEEE.

Nyckelord: Acoustic Bragg reflector ferroelectric, FBAR, Induced piezoelectric effect, Si-integration, TFBAR



Denna post skapades 2010-05-07. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 121350

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur