CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Integrated receivers up to 220 GHz utilizing GaAs-mHEMT technology

Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Wadefalk (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; R. Kuzhuharov ; Sten E. Gunnarsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Sergey Cherednichenko (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Iltcho Angelov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Morteza Abbasi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Bertil Hansson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Vessen Vassilev (Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Avancerad mottagarutveckling) ; J. Svedin ; S. Rudner ; I. Kallfass ; A. Leuther
2009 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology, RFIT 2009; Singapore; Singapore; 9 January 2009 through 11 January 2009 p. 225-228 . (2009)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

The status of integrated receivers for remote sensing and communication applications from 60 GHz to higher frequencies is reviewed. Recent receiver results for silicon and III-V technologies are compared with Schottky diode receivers.

Nyckelord: millimeterwave receiver MMIC


Article number 5383658



Denna post skapades 2010-05-05. Senast ändrad 2016-07-05.
CPL Pubid: 121240

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Institutionen för radio- och rymdvetenskap, Avancerad mottagarutveckling (2005-2010)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur