CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

An Inverse Class-F GaN HEMT Power Amplifier with 78% PAE at 3.5 GHz

Paul Saad (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Hossein Mashad Nemati (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Mattias Thorsell (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum) ; Christian Fager (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; GigaHertz Centrum)
Microwave Conference, 2009. EuMC 2009. European, Sept. 29 2009-Oct. 1 2009, Rome p. 496-499. (2009)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

This paper presents the design and implementation of an inverse class F power amplifier (PA) using a high power GaN HEMT transistor. For a 3.5 GHz continuous wave (CW) signal, the measurement results show state-of-the-art power-added efficiency (PAE) of 78 %, a drain efficiency of 82 %, a gain of 12 dB, and an output power of 11W. Moreover, drain efficiency is maintained over 60 % and the output power level is higher than 10W over 300 MHz bandwidth. To our knowledge, the presented power amplifier represents the highest efficiency for all switching mode PAS that have been reported for high power applications at frequencies above 2 GHz.

Nyckelord: HEMT power amplifier, HEMT transistor, drain efficiency, high electron mobility transistors, inverse class F power amplifier



Denna post skapades 2010-03-25. Senast ändrad 2015-12-17.
CPL Pubid: 118462

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
GigaHertz Centrum

Ämnesområden

Elektroteknik

Chalmers infrastruktur