CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Integration of parallel-plate ferroelectric varactors with BCB-on-silicon microstrip circuits

Dan Kuylenstierna (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Andrei Vorobiev (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Spartak Gevorgian (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
2004 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 6-11 June 2004 Vol. Vol.3 (2004), p. 1907-10.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

A four mask process is developed to integrate parallel-plate ferroelectric varactors with BCB film microstrip circuits. A tri-layer stack, consisting of bottom electrode (M1), ferroelectric film and top electrode (M2), deposited on silicon substrate is used as a ground plane for microstrip circuits. A BCB film, spin coated on the tri-layer ground plane for microstrip circuits patterned in the third metal layer (M3). Simple circuits are fabricated to demonstrate the potential of the proposed integration

Nyckelord: dielectric thin films, elemental semiconductors, ferroelectric devices, microstrip circuits, silicon, spin coating, varactors

Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 11842


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik


Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur