CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Excess Dissipation in a Single-Electron Box: The Sisyphus Resistance

Fredrik Persson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Christopher Wilson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Martin Sandberg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Göran Johansson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Tillämpad kvantfysik) ; Per Delsing (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik)
Nano Letters (1530-6984). Vol. 10 (2010), 3, p. 953-957.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We present measurements of the ac response of a single-electron box (SEB). We apply a radio frequency signal with a Frequency larger than the tunneling rate and drive the system out of equilibrium. We observe much more dissipation in the SEB then one would expect from a simple circuit model, We can explain this in terms of a mechanism that we call the Sisyphus resistance. The Sisyphus resistance has a strong gate dependence which can be used for electrometery applications.

Nyckelord: Dissipation, Sisyphus resistance, single-electron box, rf-reflectometry, superconducting qubit, interferometry, transistor



Denna post skapades 2010-03-23. Senast ändrad 2016-07-07.
CPL Pubid: 118291

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)