CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

On the High Frequency De-Embedding& Modeling of FET Devices

Iltcho Angelov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; K. Kanaya ; S. Goto ; Morteza Abbasi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
2009 73RD ARFTG MICROWAVE MEASUREMENT CONFERENCE p. 28-31. (2009)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

At millimetre wave frequencies, deembedding techniques start to fail due to larger uncertainty in measurements. In this paper, various pads-transistor transitions are being analysed and measured. The usage of measurement versus simulation based characterisation of the embedding layout is evaluated. Applying suggested measuring, modelling extraction procedure, results up to 220 GHz are demonstrated.

Nyckelord: FET, Microstrip, SS and LS Models



Denna post skapades 2010-03-22. Senast ändrad 2017-07-03.
CPL Pubid: 118213

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur