CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

The Role of Mobile Charge in Oxygen Plasma-Enhanced Silicon-to-Silicon Wafer Bonding

Bahman Raeissi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Anke Sanz-Velasco (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem) ; Olof Engström (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik)
Electrochemical and Solid State Letters (1099-0062). Vol. 13 (2010), 6, p. H179-H181.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Mechanical bonding energies of oxygen plasma treated and room-temperature wafer bonded silicon surfaces have been measured as a function of storage time in parallel with measurements of electrical interface properties. The surface energy increases with time dependence similar to that of decreasing interface state concentration. The current vs voltage behavior reveals the existence of mobile ions. We suggest that these mobile charges, after the reaction with the interface states, give rise to the increased surface energy responsible for bonding.

Nyckelord: elemental semiconductors, interface states, plasma materials processing, silicon, surface energy, surface treatment, wafer bonding



Denna post skapades 2010-03-20. Senast ändrad 2013-10-29.
CPL Pubid: 118172

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Bionanosystem (2007-2015)

Ämnesområden

Halvledarfysik
Elektronik

Chalmers infrastruktur