CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Transient Simulation of Microwave SiC MESFETs With Improved Trap Models

Hans Hjelmgren (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Transactions on Electron Devices (0018-9383). Vol. 57 (2010), 3, p. 729-732.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Measured and simulated transient characteristics of a SiC metal–semiconductor field-effect transistor are compared. Self-heating, gate tunneling, substrate, and surface traps are taken into account in the simulations. By explicitly filling surface traps at the vicinity of the gate during pinchoff, close correspondence between simulated and measured gate lags is achieved.

Nyckelord: Charge carrier processes, MESFET power amplifiers, microwave transistor, silicon carbide, technology computer-aided design (TCAD)



Denna post skapades 2010-03-11. Senast ändrad 2015-07-28.
CPL Pubid: 117666

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur