CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Characterization of uni-traveling carrier photodiodes for high-linearity and high-SNR applications

Andreas Wiberg (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Henrik Sunnerud (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Peter Andrekson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Microwave and Optical Technology Letters (0895-2477 ). Vol. 52 (2010), 6, p. 1460-1460 .
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

A typical uni-traveling carrier photodiode (UTC-PD) and a commercial PIN-PD are compared in the context of the analog performance at 10 GHz in a realistic noise environment.The behavior of the carrier-to-noise ratio (CNR), the linearity, represented by the third-order output intercept point (OIP3), and the spurious free dynamic range are studied as a function of photocurrent. We have found that the increment of the CNR is only minor because of excess noise of the amplifier, as an optical amplifier is used to reach high optical power. However, the OIP3 of the UTC-PD is substantially higher and increases with photocurrent, in contrast to the PIN-PD. Thus, even though the responsivity is lower, it is beneficial to use a UTC-PD to have superior dynamic range.

Nyckelord: microwave photonics, photodiodes, uni-travelling carrier photodiode (UTC-PD), PIN-PD



Denna post skapades 2010-02-22. Senast ändrad 2016-07-13.
CPL Pubid: 113463

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)

Ämnesområden

Fotonik

Chalmers infrastruktur