CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Self-organized MnAs quantum dots formed during annealing of GaMnAs under arsenic capping

J. Sadowski ; E. Janik ; E. Lusakowska ; J. Z. Domagala ; S. Kret ; P. Dluewski ; Martin Adell (Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur) ; Janusz Kanski (Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur) ; Lars Ilver (Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur) ; Rimantas Bručas (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Maj Hanson (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik)
Applied Physics Letters Vol. 87 (2005), p. 263114.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]


Denna post skapades 2007-01-09. Senast ändrad 2015-10-22.
CPL Pubid: 11250

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för teknisk fysik, Kondenserade materiens elektronstruktur (2005-2006)
Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik (2005-2015)

Ämnesområden

Teknisk fysik

Chalmers infrastruktur