CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Capacitance Analysis for AlGaAs/GaAs and InAlAs/InGaAs Heterostructure Barrier Varactor Diodes

Ying Fu (forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik) ; Lars Dillner (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Jan Stake (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Magnus Willander (forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik) ; Erik L. Kollberg (Institutionen för mikrovågsteknik)
Journal of Applied Physics (0021-8979). Vol. 83 (1998), 3, p. 1457-1462.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

By self-consistently solving Schro¨dinger and Poissons equations, we have investigated the capacitances of AlGaAs/GaAs and InAlAs/InGaAs heterostructure barrier varactors. When compared with semiclassical particle model, quantum mechanics show that the maximal capacitance of the varactor is saturated when the spacer and barrier are thin. When the spacer and barrier are very thick, both the quantum mechanics and semiconductor particle approach result in the same conclusion, namely, the maximal capacitance is inversely proportional to the sum of the spacer and barrier thicknesses. We have also shown that the maximal capacitance increases for high carrier effective mass.

Nyckelord: HBV, Capacitance



Denna post skapades 2006-09-28. Senast ändrad 2015-01-08.
CPL Pubid: 11194

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik (1997-2004)
Institutionen för mikrovågsteknik (1900-2003)

Ämnesområden

Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Halvledarfysik
Elektrofysik

Chalmers infrastruktur