CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Output Power Density and Breakdown Voltage in Field-Plated Buried Gate Microwave SiC MESFETs

Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Fredrik Allerstam (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Kristoffer Andersson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Martin Fagerlind (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Hans Hjelmgren (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Anna Malmros (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mattias Südow (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Einar Sveinbjörnsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
GigaHertz Symposium 2008 p. 78. (2008)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2010-01-26. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 110889

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur