CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

DC characteristics of InAs/AlSb HEMTs at cryogenic temperatures

Giuseppe Moschetti (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Wadefalk (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mikael Malmkvist (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Eric Lefebvre (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Grahn (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Yannick Roelens ; A. Noudeviwa ; A. Olivier ; Sylvain Bollaert ; F. Danneville ; Ludovic Desplanque ; Xavier Wallart ; Gilles Dambrine
2009 IEEE International Conference on Indium Phosphide & Related Materials p. 323-5. (2009)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2010-01-25.
CPL Pubid: 110813

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur