CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Design, Fabrication and characterisation of High Power HBV Diodes

T. Arezoo Emadi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mattias Ingvarson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, MC2 process laboratorium) ; Tomas Bryllert (Extern ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Arne Øistein Olsen (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik ; Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, MC2 process laboratorium)
16th International Symposium on Space Terahertz Technology; Chalmers Conference Centre, May 2-4, 2005, Gothenburg, Sweden, (Eds. Jan Stake, Harald Merkel.) p. Session: P05-04. (2005)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We present design and analysis of material structures and device geometries for heterostructure barrier varactor diodes (HBVs) for high-power frequency multipliers. The methods aim at finding optimum epitaxial layer structures with respect to diode power handling capability and efficiency. A distributed device geometry for further increasing the output power levels whilst maintaining acceptable device temperatures is also presented. Finally, an electro-thermal HBV model with the ability of incorporating temperature-dependent device parameters is used to simulate the introduced devices, followed by a design example of a 3×4-barrier high-power HBV diode.

Nyckelord: HBV



Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 11063

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik
Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, MC2 process laboratorium (2003-2005)

Ämnesområden

Elektroteknik
Elektronik
Elektrofysik

Chalmers infrastruktur