CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

AlGaAs/GaAs and InAlAs/InGaAs Heterostructure Barrier Varactors

Ying Fu (forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik) ; Jan Stake (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Lars Dillner (Institutionen för mikrovågsteknik) ; Magnus Willander (forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik) ; Erik L. Kollberg (Institutionen för mikrovågsteknik)
Journal of Applied Physics (0021-8979). Vol. 82 (1997), 11, p. 5568-5572.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

By the Schrödinger and Poisson equations, we have theoretically investigated AlGaAs/GaAs and InAlAs/InGaAs single barrier varactors. The energy band structure, carrier distribution, and conduction current are fully exploited for varactor design. We have explained the experimental current-voltage and capacitance-voltage measurements very well. A simple analytical model for energy band structure is derived based on the Schrödinger and Poisson equation calculation. It is found that a barrier structure of 3 nm Al0.3Ga0.7As/3 nm AlAs/3nm Al0.3Ga0.7As for an Al0.3Ga0.7As/GaAs varactor and a barrier structure of 8 nm In0.52Al0.48As/3 nm AlAs/8 nm In0.52Al0.48As for In0.52Al0.48As/In0.47GaAs are optimal for minimal conduction currents.

Nyckelord: HBV, frequency multiplier, physical simulation



Denna post skapades 2006-09-28. Senast ändrad 2015-01-08.
CPL Pubid: 10981

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

forskargrupp för fysikalisk elektronik och fotonik (1997-2004)
Institutionen för mikrovågsteknik (1900-2003)

Ämnesområden

Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Halvledarfysik
Elektroteknik
Elektrofysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Planar Heterostructure Barrier Varactor Diodes for Millimetre Wave Applications