CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Growth of Fe doped semi-insulating GaN on sapphire and 4H-SiC by MOCVD

Mariusz Rudzinski ; Vincent Desmaris (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Paul Van Hal ; J Weyher ; Paul Hageman ; Kristina Dynefors (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Thomas Rödle ; Rik Jos ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Pol larsen
International Conference on Nitride Semiconductor ICNS-6 (2005)
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 10869