CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

CMOS devices and circuits for microwave and millimetre wave applications

Mattias Ferndahl (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Bahar M. Motlagh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Anowar Masud (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Iltcho Angelov (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; H.-O. Vickes ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
13th European Gallium Arsenide Conference p. 105-8. (2005)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We present several building blocks for RF front ends at micro and mm-wave frequencies using 90 nm CMOS. The designs are 20 GHz single- and 40 GHz double stage amplifiers with 5.6 and 7.3 dB gain respectively, a 20 GHz resistive mixer with CL = 7.9 dB and IIP3 = 17.5 dBm plus frequency doublers to 40 and 60 GHz with CL = 15.8 and 15.3 dB respectively. All circuits have been designed using distributed elements. Both using a 5 metal layer BEOL process and a 3 metal layer BEOL with post processing.


Fulltext finns.



Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 10860

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektroteknik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Monolithic Micro- and Millimeter-wave Integrated Circuits in 90 nm CMOS Technology