CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Low capacitance HTS junctions for single electron transistors

David Gustafsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Thilo Bauch (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Shahid Nawaz (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Mudassar Mumtaz Virk (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Giorgio Signorello (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik) ; Floriana Lombardi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Kvantkomponentfysik)
Physica C: Superconductivity. 9th International Conference on Materials and Mechanisms of Superconductivity (0921-4534). Vol. 470 (2009), p. S188-S190.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We have fabricated and characterized YBa2Cu3O7-δ grain boundary junctions to determine their feasibility as tunnel barriers in single electron transistors. Superconducting quantum interference devices with injection lines have been used to measure the junctions capacitance. We have extracted capacitance values which allow us to achieve a Coulomb blockade regime for sufficiently small junction dimensions.

Nyckelord: High critical temperature superconductor, SQUID, Grain boundary junction



Denna post skapades 2010-01-17. Senast ändrad 2016-04-05.
CPL Pubid: 108200

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)