CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Planar SiC Schottky Diodes for MMIC Applications

Mattias Südow (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Conference Proceedings. 34th European Microwave Conference (IEEE Cat. No.04EX963) Vol. 1 (2004), p. 153-156.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

Planar Schottky diodes intended for SiC MMIC applications have been designed, processed and characterised. To our knowledge, this is the first article published on this type of device. The planar design is beneficial since semi-insulating substrates are used in microwave designs to minimise parasitics. The component geometry was studied and a simple distributed model was formulated. Extrinsic cut-off frequencies up to 30.8 GHz were calculated from LCR-measurements.

Nyckelord: SiC, Schottky, MMIC, microwave



Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2017-03-21.
CPL Pubid: 10580

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur