CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Planar Schottky Microwave Diodes on 4H-SiC

Mattias Südow (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Per-Åke Nilsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Materials Science Forum (0255-5476). Vol. 483-485 (2005), p. 937-940.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Planar microwave Schottky diodes on 4H-SiC have been designed, processed and measured. Different Schottky metals were tested to study the influence on the microwave performance. A maximum extrinsic cut-off frequency of 30.8 GHz was achieved for a tungsten/SiC-Schottky diode. The diode geometry dependence on both the cut-off frequency and the breakdown voltage was investigated. The breakdown voltage was found to be linearly dependent on the anode-cathode distance

Nyckelord: SiC, Schottky, microwave



Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 10579

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur