CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Metamorphic InGaAs telecom lasers on GaAs

Ivar Tångring (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Yuxin Song (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; D.H. Wu ; Z.C. Niu ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
Photonics West, San José, California, USA (invited paper) (0277-786X ). Vol. Proc. SPIE 7230 (2009), p. 723003.
[Konferensbidrag, refereegranskat]

We demonstrate GaAs-based metamorphic lasers in the 1.3-1.55 μm telecom range grown by molecular beam epitaxy. The introduction of dopants in a compositionally graded layer is shown to significantly influence material properties, as well as having impact on the laser device design. Investigating and understanding of strain relaxation and dislocation dynamics is useful for improving material quality, performance and robustness of metamorphic devices. We demonstrate pulsed lasing up to 1.58 μm and continuous wave lasing at 1.3 μm at room temperature with low threshold currents.

Nyckelord: Metamorphic, telecom laser, InGaAs, quantum well, GaAs, molecular beam epitaxy, compositionally graded buffer layer

Denna post skapades 2010-01-07. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 105779


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik


Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur