CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Direct observation of lateral carrier diffusion in ridge waveguide InGaNAs lasers

Göran Adolfsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Nanotekniklaboratoriet) ; Jörgen Bengtsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Jun Lim ; Ville Vilokkinen ; P. Melanen
IEEE Photonics Technology Letters (1041-1135). Vol. 21 (2009), 134, p. 134-136.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We present results from measurements of the subthreshold lateral spontaneous emission profile in 1.3-mu m wavelength ridge waveguide InGaNAs quantum-well lasers using a scanning near-field optical microscopy technique. The measurements reveal the presence of significant lateral carrier diffusion which has a profound effect on the temperature dependence of the threshold current. This effect is frequently omitted when the characteristic temperature of the threshold current is considered.

Nyckelord: Characteristic temperature; InGaNAs; Lateral carrier diffusion; Scanning near-field optical microscopy (SNOM); Semiconductor lasers



Denna post skapades 2009-12-23. Senast ändrad 2016-07-22.
CPL Pubid: 104879

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)