CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High speed, low current density 850 nm VCSELs

Petter Westbergh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Johan S. Gustavsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Åsa Haglund (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Mats Sköld (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Andrew Joel
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics (1077-260X). Vol. 15 (2009), 3, p. 694-703.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

We report on the design, fabrication, and evaluation of large-aperture, oxide-confined 850 nm vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) with high modulation bandwidth at low current densities. We also compare the use of InGaAs and GaAs quantum wells (QWs) in the active region. Both VCSELs reach an output power of 9 mW at room temperature, with a thermal resistance of 1.9deg C/mW. The use of InGaAs QWs improves the high-speed performance and enables a small-signal modulation bandwidth of 20 GHz at 25degC and 15 GHz at 85degC. At a constant bias current density of only 11 kA/cm2, we generate open eyes under large-signal modulation at bit rates up to 25 Gbit/s at 85degC and 30 Gbit/s at 55degC.

Denna post skapades 2009-12-18. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 104338


Läs direkt!

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik



Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:

High Speed Vertical Cavity Surface Emitting Lasers for Short Reach Communication