CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

6. Direct Comparison of Threshold and Gain Characteristics of 1300 nm GaInNAs lasers with GaNAs and GaAs Barriers

Yong Qiang Wei (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Ying Fu (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Xiaodong Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Peter Modh (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Per Olof Hedekvist (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; QINFEN GU ; Mahdad Sadeghi (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Shumin Wang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik) ; Anders Larsson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik)
APPLIED PHYSICS LETTERS Vol. 87 (2005), 8, p. 081102.
[Artikel, övrig]


Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2016-04-11.
CPL Pubid: 10410

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fotonik

Ämnesområden

Fotonik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Efficient 1.3 mm GaInNAs Quantum Well Lasers for Uncooled, High Speed Operation