CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

DC characteristics of InAs/AlSb HEMTs at cryogenic temperatures

Giuseppe Moschetti (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
IEEE Indium Phosphide & Related Materials, 2009 (1092-8669 ). p. 323 - 325 . (2009)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

Nyckelord: III-V semiconductors, aluminium compounds, cryogenics, high electron mobility transistors, indium compounds



Denna post skapades 2009-12-15. Senast ändrad 2009-12-15.
CPL Pubid: 103554

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik

Ämnesområden

Elektronik

Chalmers infrastruktur