CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

High CW power 0.3 um gate AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE on sapphire

Vincent Desmaris (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Joakim Eriksson (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Niklas Rorsman (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik) ; Herbert Zirath (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Mikrovågselektronik)
Materials Science Forum Vol. 457-460 (2004), 2, p. 1629.
[Konferensbidrag, refereegranskat]


Denna post skapades 2006-08-29. Senast ändrad 2015-08-10.
CPL Pubid: 10350