CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Modeling of GaAs Schottky diodes for terahertz application

Aik Yean Tang (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Vladimir Drakinskiy (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Peter Sobis (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Josip Vukusic (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik) ; Jan Stake (Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik)
34th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, Busan, Korea, 2009 (2009)
[Konferensbidrag, refereegranskat]

3-D models have been developed to study the series resistance (Rs) at DC and the extrinsic parasitic elements (capacitance and inductance) at high frequencies for a Schottky diode chip. For the Rs study, a comparison with the experimental result has been carried out. High frequency properties and the corresponding S-parameters of the Schottky diode chip are simulated using a 3-D finite element electromagnetic solver. The parasitic elements are then extracted and studied as a function of the diode geometry. The outcome of the studies shows the existence of a significant pad-to-pad capacitance through the semi-insulating substrate which could be improved by implementing tapered shape pads.



Denna post skapades 2009-11-02. Senast ändrad 2014-09-02.
CPL Pubid: 101189

 

Institutioner (Chalmers)

Institutionen för mikroteknologi och nanovetenskap, Fysikalisk elektronik (2007-2010)

Ämnesområden

Elektroteknik och elektronik

Chalmers infrastruktur