CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Bistable nanoelectromechanical devices

K.J. Ziegler ; D.M. Lyons ; JD. Holmes ; D. Erts ; B. Polyakov ; Håkan Olin (Institutionen för experimentell fysik) ; Krister Svensson (Institutionen för experimentell fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Eva Olsson (Institutionen för experimentell fysik, Mikroskopi och mikroanalys)
Applied Physics Letters (0003-6951). Vol. 84 (2004), 20, p. 4074-4076.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The force interactions of silicon and germanium nanowires with gold electrodes were analyzed. The current voltage data showed linear behavior between gold electrode and silicon nanowires but for germanium nanowires, they were point of contact dependant. It was found that TEM-STM demonstrated bistable silicon and germanium nanowire based nanoelectromechanical programable read-only memory (NEMPROM) devices. Analysis shows that the devices exhibited low switching potential and high stability, that made them ideal low-leakage electronic devices.



Denna post skapades 2006-08-28. Senast ändrad 2014-11-27.
CPL Pubid: 10022

 

Läs direkt!


Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för experimentell fysik (1900-2005)
Institutionen för experimentell fysik, Fasta tillståndets fysik (1997-2004)
Institutionen för experimentell fysik, Mikroskopi och mikroanalys (1997-2004)

Ämnesområden

Fysik
Teknisk fysik

Chalmers infrastruktur