CPL - Chalmers Publication Library
| Utbildning | Forskning | Styrkeområden | Om Chalmers | In English In English Ej inloggad.

Formation of epitaxial MnBi layers on (GaMn)As

Johan Adell (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Martin Adell (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Intikhab Ulfat (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; Lars Ilver (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik) ; J. Sadowski ; Janusz Kanski (Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik)
Physical Review B (1098-0121). Vol. 80 (2009), 7, p. 075204.
[Artikel, refereegranskad vetenskaplig]

The initial growth of MnBi on MnAs terminated (GaMn)As is studied by means of synchrotron based photoelectron spectroscopy. From analysis of surface core level shifts we conclude that a continued epitaxial MnBi layer is formed, in which the MnAs/MnBi interface occurs between As and Bi atomic planes. The well defined 1x2 surface reconstruction of the MnAs surface in preserved for up to 2 ML of MnBi before surface degradation occurs. The MnBi layer appears to be free from intermixed As.


Article Number: 075204



Denna post skapades 2009-10-14. Senast ändrad 2014-03-24.
CPL Pubid: 100123

 

Läs direkt!

Lokal fulltext (fritt tillgänglig)

Länk till annan sajt (kan kräva inloggning)


Institutioner (Chalmers)

Institutionen för teknisk fysik, Fasta tillståndets fysik (2005-2015)

Ämnesområden

Fysik
Den kondenserade materiens fysik

Chalmers infrastruktur

Relaterade publikationer

Denna publikation ingår i:


Detailed photoemission studies of the prototype diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As


Synchrotron light based spectroscopy of MBE-grown (GaMn)As structures